Лаборатория оптико-электронного приборостроения

Направления научной деятельности лаборатории
  • разработка оптико-электронных систем наблюдения в среднем и дальнем инфракрасном диапазоне спектра
  • спектральные исследования свето-, фото- и лазерных диодов для разработки приборов экологического мониторинга
  • моделирование оптических процессов и дефектообразования в полупроводниковых гетероструктур
Разработки

Системы термовизуализации объектов

В лаборатории осуществляется разработка оптико-электронной системы термовизуализации объектов, работающей в спектральном диапазоне 8-10мкм, с числом фоточувствительных элементов 640 x 512 на основе матричных фотоприемников с квантовыми ямами (QWIP-матриц) с частотой кадров 50Гц.

Лазерно-оптический стенд для измерения параметров фоточувствительных матриц спектрального диапазона 8-12 мкм

Стенд предназначен для измерения основных характеристик охлаждаемых (до 70К) QWIP-матриц, гибридизированных с мультиплексором (разрешение 640х512 фоточувствительных элементов или аналогичное). Стенд может быть адаптирован для измерения характеристик микроболометрических матриц.
Основные технические характеристики:
— спектральный диапазон чувствительности
— разность температур, эквивалентная шуму
— чувствительность (отношение сигнал-шум) на одной из длин волн в диапазоне 8-9мкм
— рабочая температура в интервале 70-85К
— рабочая частота кадров
— количество нефункционирующих элементов (битых пикселей)

Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах

Принцип действия прибора основан на селективном поглощении излучения инфракрасного диапазона спектра нефтью и водой, что позволяет проводить достоверные измерения в присутствии примесей и иных сред. Прибор может быть адаптирован для измерения концентрации воды в бензине, керосине и дизельном топливе.
Основные технические характеристики:
— диапазон измерения концентраций от 2 до 50%
— температурный диапазон измерений от +10 до +40°С
— погрешность измерения < 2%
— габариты (Д, Ш, В) 15 х 10 х 6см
Диапазон измерений может быть изменен под требования заказчика (сужение диапазона измерений позволяет повысить точность измерений).

Оптический анализатор углекислого газа

Принцип действия прибора основан на селективном поглощении излучения инфракрасного диапазона спектра углекислым газом.
Основные технические характеристики:
— диапазон измерения концентраций  от 0.03 до 10%
— температурный диапазон измерений от +10 до +40°С
— погрешность измерения < 2%
— габариты (Д, Ш, В)  15 х 10 х 6см
Диапазон измерений может быть изменен под требования заказчика (сужение диапазона измерений позволяет повысить точность измерений).

Публикации
  • The temperature dependence of internal parameters of disc laser diodes InAs/InAsSbP / V.V. Kabanov, E.V. Lebiadok et al. // Semiconductors 43 (2009)500.
  • Amplified luminescence and output characteristics of high-power InGaAs/AlGaAs laser diode arrays/ V.V. Kabanov, E.V. Lebiadok et al. // Quantum Electronics 41 (2011) 95.
  • Optimal fill factor for laser diode arrays applied to transversally pumped erbium laser / T.V. Bezyazychnaya, M.V. Bogdanovich, A.V. Grigor’ev, V.V. Kabanov, Y.V. Lebiadok et al. // Optics Communications 285 (2012) 2397.
  • Radiative and nonradiative recombination in the active layers of high-power InGaAs/GaAs/AlGaAs laser diodesV.V. Kabanov, E.V. Lebiadok et al. // Semiconductors 46 (2012) 1316.
  • Optimal output mirror reflectioncoefficient for powerful InGaAs/AlGaAs laser diode arrays / M.V. Bogdanovich, V.V. Kabanov, Y.V. Lebiadok et al. // Optics & Laser Technology 45 (2013) 177.
  • Point defects and amplification in active layers of InGaAs/AlGaAs heterostructures / T.V. Bezyazychnaya, Y.V. Lebiadok et al. // Physics of the Solid State 55 (2013) 2165.
  • Powerful Laser Diode Matrixes for Active Vision Systems / D.M. Kabanau, V.V. Kabanov, Y.V. Lebiadok et al. // International Journal of Mechanical, Aerospace, Industrial and Mechatronics Engineering 8 (2014) 1970.
  • Light emitting diode–photodiode optoelectronic pairs based on the InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for the detection of carbon dioxide / T.V. Bezyazychnaya, D.M. Kabanau, Y.V. Lebiadok et al. // Semiconductors 49 (2015) 980.
  • Influence of vacancies on indium atom distribution in InGaAs and InGaN compounds / T.V. Bezyazychnaya, D.M. Kabanau, Y.V. Lebiadok et al.// Lithuanian journal of physics 55 (2015) 10.
  • Influence of vacancies on GaN/AlN interface characteristics/ Y.V. Lebiadok, T.V. Bezyazychnaya, D.M. Kabanau et al.// Proc. SPIE 9748 (2016) 97480W-1.
  • Active vision systems based on powerful laser diode matrixes: design peculiarities and vision range / D.V. Shabrov, V.V. Kabanov, Y.V. Lebiadok// Proc. SPIE 9987 (2016) 998707-1.
  • Nitrogen vacancies in the GaN/AlN heterointerface / Y.V. Lebiadok, T.V. Bezyazychnaya, K.S. Zhuravlev// Proc. SPIE 9994 (2016) P. 99940I-1.
  • Measurement of the water content in oil and oil products using IR light-emitting diode–photodiode optrons / M.V. Bogdanovich, D.M. Kabanau, Y.V. Lebiadok et al.// Technical Physics 62(2) 344-346.
Контакты

Заведующий лабораторией
к.ф.-м.н. ЛЕБЕДОК Егор Викторович
тел. + 375-17-2949010
lebiadok@oelt.basnet.by