Лабараторыя мікра- і нанасэнсорыкі

О лаборатории   Разработки   Публикации   Контакты
  • Мардилович П.П., Говядинов А.Н., Мухуров Н.И., Ржевский А.Р., Paterson R. New and modified anodic alumina membranes. I. Thermotreatment of anodic alumina membranes // J. of Membrane Science. – 1995. – Vol.98, No.2/3. – P.131-142.
  • Григоришин И.Л., Мухуров Н.И., Котова И.Ф. Design and technological peculiarities of making vacuum integrated circuits of a thermo-cathode –based AC amplifier // Applied Surface Science. – 1997. – Vol.111. – P.101-105.
  • Гасенкова И.В., Житинская М.К., Немов C. А., Свечникова Т.Е. Перераспределение электронной плотности в Bi2Te3, легированном Sn // ФТТ. – 1999. – Т.41 , № 11. – С.1969-1972.
  • Zhvavyǐ, S.P. Simulation of the melting and crystallization processes in monocrystalline silicon exposed to nanosecond laser radiation // Technical Physics. 2000. Vol.45. No.8. P.1014-1018.
  • Мухуров Н.И., Гасенкова И.В., Котова И.Ф., Галдецкий А.В., Чубаренко В.А. Исследование нанопористых подложек анодного оксида алюминия с осажденным в поры металлом для формирования микроминиатюрных электронных устройств // Микроэлектроника. – 2001. – Т.30, №3. – С.218-222.
  • Гасенкова И.В., Житинская М.К., Немов С.А., Иванова Л.И. Электрофизические свойства и электронная структура теллурида сурьмы, легированного оловом // ФТТ. – 2002. – Т.44, вып.10. – С.1766-1769.
  • Мухуров Н.И., Трофимов Ю.В., Манего С.А., Котова И.Ф. Коэффициент направленного пропускания некоторых модификаций анодного оксида алюминия в УВИ диапазоне длин волн // Оптический журнал. – 2002. – Т.69, №1. – С.81-84.
  • Григоришин И.Л., Полевская Л.Г., Куданович О.Н. Датчик водорода на термоэлектрическом преобразовании // Сенсор. – 2003. – №3. – С.47-54.
  • Григоришин И.Л., Звягинцев А.М., Куданович О.Н., Полевская Л.Г., Тявловская Е.А. Сенсор озона на основе тонкопленочного оксида никеля // Сенсор. – 2004. – №4. – С.2-10.
  • Мухуров Н.И., Ефремов Г.И., Куданович О.Н. Устройства микромеханики и микросенсорики на нанопористом анодном оксиде алюминия. – Минск, УП “Бестпринт”. – 2005. – 112с.
  • Zhvavyi S.P., Zykov L. Simulation of dynamics of phase transitions in CdTe by pulsed laser irradiation // Appl. Surf. Sci. – 2006. – Vol.253. No.2. – P.586-591.
  • Мухуров Н.И, Ефремов Г.И. Моделирование и разработка перспективных микроэлектромеханических структур на основе анодного оксида алюминия // Нано- и микросистемная техника. – 2006. – №1. – С.27-34.
  • Рыжиков И.А., Мухуров Н.И., Виноградов А.П., Седова М.В. Металлизация микроканалов в пористом анодном оксиде алюминия для создания перспективных метаматериалов / Журнал функциональных материалов (Journal of Functional Materials). – 2007. – Т.1, №3. – С.114-117.
  • Mukhurov, N.I., Zhvavyi, S.P., Terekhov, S.N., Panarin, A.Yu., Kotova, I.F., Pershukevich, P.P., Khodasevich, I.A., Gasenkova, I.V., Orlovich, V.A. Influence of electrolyte composition on photoluminescent properties of anodic aluminum oxide // Journal of Applied Spectroscopy. – 2008. – Vol.75, No.2. – P. 214-218.
  • Zhvavyi S.P., Zykov G.L. Simulation of composition modification in ZnSe by nanosecond radiation of excimer laser // Appl. Surf. Sci. – 2008. Vol.254. – P 6504-6508.
  • Мухуров Н.И., Ефремов Г.И., Жвавый С.П. Анализ электромеханических параметров электростатических микрореле с автономными держателями // Нано- и микросистемная техника. – 2008. – №6. – С.28-32.
  • Ефремов Г.И., Мухуров Н.И. Параметры трехэлектродных электростатических микроактюаторов // Нано- и микросистемная техника. – 2008. №9. – С. 40 – 44.
  • Мухуров Н.И., Ефремов Г.И., Жвавый С.П. Упругие элементы в микроэлектромеханических системах // Нано- и микросистемная техника. – 2008. №12. – С.12-22.
  • Белоус А.И., Емельянов В.Е., Дрозд С.Е., Коннов Е.В., Мухуров Н.И., Плебанович В.А. Схемотехническое конструирование БИС преобразователя емкость – напряжение для микроэлектромеханических датчиков // Нано- и микросистемная техника. – 2008. – №8.-С.15-19.
  • Белоус А.И., Дрозд С.А., Мухуров Н.И. и др. Технологический вариант реализации конструкции БИС-преобразователя емкость-напряжение для микроэлектромеханических датчиков // Нано- и микросистемная техника. – 2010. – №8. – С.2-6.
  • Mukhurov N.I., Zhvavyi S. P., Gasenkova I. V., Terekhov S. N., Pershukevich P. P., Orlovich V. A. Photoluminescence of F-centers in films of anodic alumina //Journal of Applied Spectroscopy. – 2010. – Vol.77, No.4. – P.549-555.
  • Terekhov S.N., Mojzes P., Kachan S.M., Mukhurov N.I., Zhvavyi S.P., Panarin A.Yu., Khodasevich I.A., Orlovich V.A., Thorel A., Grillon F., Turpin P.-Y. A comparative study of surface-enhanced Raman scattering from silver-coated anodic aluminum oxide and porous silicon // Journal of Raman Spectroscopy. – – Vol.42, Issue1. – P.12–20.
  • Мухуров Н.И., Ефремов Г.И., Жвавый С.П. Теоретическое моделирование плоскопараллельных двухэлектродных микроактюаторов // Нано- и микросистемная техника. – 2011. – №1. – C.15-23.
  • Мухуров Н.И., Ефремов Г.И. Жвавый С.П. Функциональные возможности электротоковых микрореле // Нано- и микросистемная техника. – 2011. – №3. – C.39-42.
  • Gasenkova I.V., Mazurenko N.I., Ostapenko E.V. Chemical composition and surface morphology of anodic alumina determined by electron microscopy and thermogravimetry // J. Surf. Inv. X-ray, Synchr. Neutr. Techn. –2011. – №5. – P.1005-1010.
  • Мухуров Н.И., Ефремов Г.И.. Электромеханические микроструктуры. – Минск: Беларуская навука, 2012. – 256с.
  • Gasenkova I.V., Mukhurov N.I., Zhvavyi S.P. Photoluminescence properties of anodic alumina. // Chapter In Book: Photoluminescence: Applications, Types And Efficacy. Editor(s): Merle A. Case and Bradford C. Stout. Nova Science Publishers, Inc. (400 Oser Avenue, Suite 1600 Hauppauge, NY 11788 USA) – P.195-225.
  • Gasenkova I.V., Ostapenko E.V. Effect of annealing on the phase composition and morphology of Al2O3 formed in a complex electrolyte // J. Surf. Inv. X-ray, Synchr. Neutr. Techn. 2013. – №7. – P.536-541.
  • Gasenkova I.V., Ostapenko E.V., Mazurenko N.I. Optical properties of anodic aluminum oxide produced in a complex electrolyte, Surf. Inv. X-ray, Synchr. Neutr. Techn. 2014. – Vol.8, №4. – P.636-640.
  • Mukhurov N.I., Gasenkova I.V., Andruhovich I.M. Ordered growth of anodic aluminum in galvanostatic and galvanostatic-potentiostatic mode // Journal of Materials Science and Nanotechnology. – 2014. – Vol.1, No1. – 6p.
  • А.В.Труханов, С.С.Грабчиков, А.Н.Васильев, С.А.Шарко, Н,И.Мухуров, И.В.Гасенкова Особенности получения и механизм роста многослойных квазиодномерных систем (Co-Ni-Fe)/Cu в порах матриц анодного оксида алюминия // Кристаллография. – 2014. – Т.59, №5. – С.814-818.
  • Мухуров Н.И., Гасенкова И.В., Андрухович И.М. Особенности формирования прецизионных чувствительных элементов датчиков космической плазмы. // Нано- и микросистемная техника. – 2015. – № 1. – С.48-56.
  • Длугунович В.А.. Жумарь А.Ю., Курилкина С.Н., Мухуров Н.И. Преобразование поляризации света с использованием нанопористых пленок оксида алюминия // Журнал прикладной спектроскопии. – 2015. – Т. 82, № 5. – С.766-772.
  • I.V. Gasenkova, N.I. Mukhurov, S.P. Zhvavyi, E.E. Kolesnik, А.P. Stupak. Photoluminescent properties of nanoporous anodic alumina doped with manganese ions // Journal of Luminescence – – Vol.185. – P. 298-305.